通讯领域的BIOS型号

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全球大约在10部手机中，有4部使用了ST的器件。 ST的先进结构的Flash存储器具有独特的低压技术，是基于标准的和原有的NOR存储阵列结构的方式。新的Flash，单片封装中已包含了Flash和SRAM两种类型的存储器。 主要特性 高密度 - 高达64Mbit，可以为移动电话增加更多、更大的应用程序 低电压 - 可达1.8V。节能和延长电池的寿命 快速的寻址时间 - 具有Burst能力。用于高的带宽要求和快速的计算能力 双区 - 使得读/写两种操作可以同时进行，允许EEPROM模拟 可以用于通讯领域的Flash 　 容量 型号 描述 封装 应用 8Mb M28W800CT 8Mb(x16),90-100nS,low latency,顶部Boot区 TSOP48,TFBGA45 蜂窝电话，网络产品 　 M28W800CB 8Mb(x16),90-100nS,low latency,底部Boot区 TSOP48,TFBGA45 蜂窝电话，网络产品 　 M59DR008E 8Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区 TSOP48,TFBGA48 蜂窝电话 　 M59DR008F 8Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区 TSOP48,TFBGA48 蜂窝电话 16Mb M28W160CT 16Mb(x16),90-100nS,low latency,顶部Boot区 TSOP48,TFBGA46 蜂窝电话，网络产品 　 M28W160CB 16Mb(x16),90-100nS,low latency,底部Boot区 TSOP48,TFBGA46 蜂窝电话，网络产品 32Mb M28W320CT 32Mb(x16),90-100nS,low latency,顶部Boot区 TSOP48,TFBGA47 蜂窝电话，网络产品 　 M28W320CB 32Mb(x16),90-100nS,low latency,底部Boot区 TSOP48,TFBGA47 蜂窝电话，网络产品 　 M59DR032A 32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区 TSOP48,TFBGA48 蜂窝电话 　 M59DR032B 32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区 TSOP48,TFBGA48 蜂窝电话 　 M59MR032C 32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区 µBGA46 蜂窝电话 　 M59MR032D 32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区 µBGA46 蜂窝电话

“DR”- Dual Bank/Page Mode “DR”或者Dual Bank/Page Mode产品是用于1.8V操作电压范围的应用。但在12V的编程电压条件下，可以获得更快的编程和擦除速度。 DR器件的主要特性： x16位的总线 双区结构 页模式，4字，寻址速度可达35nS 在1.8V时的随机寻址时的速度为100nS 双字编程速度为10µS 支持公共Flash接口 64位保密代码存储 8Mbit 32Mbit 型号 M59DR008E,F M59DR032E,F Boot区 E=Top, F=Bottom E=Top, F=Bottom 区 4+4Mb 4+28Mb 总线 x16 x16 “ MR" - 复用(Mutilplexed) “MR”或Dual Bank/Burst Mode和Multiplexed产品大概是当今全球最先进的Flash存储器了。它结合了Burst Mode和地址/数据复用两种特性，以简化管脚数量和实现引脚的小型化。 MR器件的主要特性： x16位的总线 双区结构 快速的12V编程和擦除 地址/数据复用 Burst模式，4字，寻址速度可达35nS 在1.8V时的随机寻址时的速度为100nS Burst模式，同步寻址，可配置burst在54MHz 双字编程速度为10µS 支持公共Flash接口 64位保密代码存储 32Mbit 型号 M59MR032C,D Boot区 C=Top, D=Bottom 区 8+24Mb 总线 x16